Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated

ZXMC3A16DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+49.93 грн
1000+44.07 грн
1500+42.03 грн
2500+37.29 грн
3500+36.02 грн
5000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMC3A16DN8TA за ціною від 60.55 грн до 145.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+89.67 грн
100+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf MOSFETs N and P Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8.pdf
ZXMC3A16DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.79 грн
10+89.67 грн
100+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8.pdf
ZXMC3A16DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N and P Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.