ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 50.69 грн |
| 1000+ | 44.75 грн |
| 1500+ | 42.67 грн |
| 2500+ | 37.86 грн |
| 3500+ | 36.57 грн |
| 5000+ | 36.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMC3A16DN8TA за ціною від 41.93 грн до 151.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMC3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 44290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXMC3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N and P Channel |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|