ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated


ZXMC3A16DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.65 грн
5000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXMC3A16DN8TC за ціною від 32.98 грн до 147.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.12 грн
10+88.96 грн
100+52.11 грн
500+41.42 грн
1000+38.19 грн
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.16 грн
10+90.51 грн
100+61.12 грн
500+45.55 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8.pdf
ZXMC3A16DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.12 грн
10+88.96 грн
100+52.11 грн
500+41.42 грн
1000+38.19 грн
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TC ZXMC3A16DN8.pdf
ZXMC3A16DN8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.16 грн
10+90.51 грн
100+61.12 грн
500+45.55 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.