Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated

Name: ZXMC3AMCTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 2555895-3
Price: 332.52 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W

на замовлення 3983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	110.84 грн
10+	67.45 грн
100+	44.98 грн
500+	33.16 грн
1000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3020B, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMC3AMCTA

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
ZXMC3AMCTA	Diodes Incorporated	MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS	на замовлення 12431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXMC3AMCTA	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXMC3AMCTA	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
ZXMC3AMCTA	Diodes Zetex	Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R	на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 12431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

DIODS14911-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

ZXMC3AMCTA

Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.