ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated


ZXMC3AMC.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN3020B-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.7W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel.

Інші пропозиції ZXMC3AMCTA за ціною від 25.91 грн до 113.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMC3AMC.pdf MOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 12431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.43 грн
10+62.47 грн
100+34.36 грн
250+29.05 грн
500+26.05 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMC3AMC.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.12 грн
10+68.84 грн
100+45.90 грн
500+33.84 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.