ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 22.31 грн |
| 1500+ | 21.14 грн |
| 2500+ | 18.59 грн |
| 3500+ | 17.86 грн |
| 5000+ | 17.14 грн |
| 12500+ | 15.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMC3F31DN8TA за ціною від 15.98 грн до 95.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMC3F31DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMC3F31DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 23500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMC3F31DN8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors |
на замовлення 444 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|