Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMC3F31DN8TA
ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated

ZXMC3F31DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.34 грн
1000+22.98 грн
1500+21.77 грн
2500+19.15 грн
3500+18.39 грн
5000+17.66 грн
12500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMC3F31DN8TA за ціною від 16.46 грн до 84.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA DIODES INC. ZXMC3F31DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8.pdf MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+43.75 грн
100+26.16 грн
500+18.50 грн
1000+16.88 грн
2500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.07 грн
10+49.90 грн
100+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA DIODES INC. ZXMC3F31DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.51 грн
16+53.17 грн
100+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8.pdf
ZXMC3F31DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8.pdf
ZXMC3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
10+43.75 грн
100+26.16 грн
500+18.50 грн
1000+16.88 грн
2500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8.pdf
ZXMC3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
10+49.90 грн
100+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8.pdf
ZXMC3F31DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.51 грн
16+53.17 грн
100+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.