ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated


ZXMC4559DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.63 грн
10+78.95 грн
100+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMC4559DN8TA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4559DN8.pdf MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.