ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.42 грн |
| 10+ | 115.73 грн |
| 100+ | 92.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMC6A09DN8TA за ціною від 63.38 грн до 216.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
ZXMC6A09DN8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.045/0.055Ω Power dissipation: 2.1W Drain current: 4.8/-5.1A Gate-source voltage: ±20V Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |