Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMC6A09DN8TA
ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated

ZXMC6A09DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.14 грн
10+110.70 грн
100+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMC6A09DN8TA за ціною від 60.84 грн до 192.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Zetex zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+148.84 грн
10+135.26 грн
25+133.90 грн
100+107.58 грн
250+98.61 грн
500+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Zetex zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+160.29 грн
84+145.66 грн
85+144.20 грн
102+115.85 грн
250+106.20 грн
500+85.75 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.65 грн
10+134.20 грн
100+70.46 грн
250+67.15 грн
500+64.00 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Inc zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Zetex zxmc6a09dn8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.