Технічний опис ZXMD63P02XTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.04W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-MSOP.
Інші пропозиції ZXMD63P02XTA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
ZXMD63P02XTA | Виробник : ZETEX |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
ZXMD63P02XTA | Виробник : ZETEX |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
ZXMD63P02XTA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
ZXMD63P02XTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-MSOP |
товару немає в наявності |