Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.82 грн
7500+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXMHC10A07N8TC за ціною від 33.93 грн до 155.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC DIODES INCORPORATED ZXMHC10A07N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Drain current: 0.9/-0.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.42 грн
10+60.11 грн
21+47.57 грн
50+47.48 грн
56+44.89 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.85 грн
10+85.55 грн
25+72.41 грн
50+60.36 грн
100+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 22838 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+155.57 грн
10+73.18 грн
100+56.08 грн
500+44.45 грн
1000+39.56 грн
2500+34.15 грн
5000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC DIODES INC. ZXMHC10A07N8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC DIODES INC. ZXMHC10A07N8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC Diodes INC. ZXMHC10A07N8.pdf Транзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,... Транзистори Корпус: S
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Drain current: 0.9/-0.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.42 грн
10+60.11 грн
21+47.57 грн
50+47.48 грн
56+44.89 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.85 грн
10+85.55 грн
25+72.41 грн
50+60.36 грн
100+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 22838 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.57 грн
10+73.18 грн
100+56.08 грн
500+44.45 грн
1000+39.56 грн
2500+34.15 грн
5000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
Виробник: Diodes INC.
Транзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,... Транзистори Корпус: S
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.