Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.13 грн
5000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMHC10A07N8TC за ціною від 31.01 грн до 132.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 59286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.60 грн
10+79.15 грн
100+51.67 грн
500+38.39 грн
1000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 23873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.06 грн
10+86.61 грн
100+50.33 грн
500+39.84 грн
1000+36.52 грн
2500+31.77 грн
5000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes INC. ZXMHC10A07N8.pdf Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.