Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.18 грн
5000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMHC10A07N8TC за ціною від 32.82 грн до 139.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 59286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.21 грн
10+83.77 грн
100+54.68 грн
500+40.63 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 23143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.75 грн
10+91.65 грн
100+53.26 грн
500+42.08 грн
1000+38.57 грн
2500+33.14 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC10A07N8.pdf ZXMHC10A07N8TC Multi channel transistors
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.13 грн
21+59.29 грн
56+56.10 грн
1000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC Виробник : Diodes INC. ZXMHC10A07N8.pdf Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.