ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 58.79 грн |
| 2000+ | 53.78 грн |
| 5000+ | 51.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-223-8, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SM8.
Інші пропозиції ZXMHC10A07T8TA за ціною від 52.48 грн до 135.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMHC10A07T8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMHC10A07T8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMHC10A07T8TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZXMHC10A07T8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
ZXMHC10A07T8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZXMHC10A07T8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |