Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC3A01N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.44 грн
5000+28.18 грн
7500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMHC3A01N8TC за ціною від 28.62 грн до 116.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 33916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+69.04 грн
100+41.79 грн
500+32.74 грн
1000+30.97 грн
2500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 100035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+70.58 грн
100+46.74 грн
500+32.58 грн
1000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.