Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC3A01N8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.98 грн
5000+25.92 грн
7500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Підписка на надходження
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMHC3A01N8TC за ціною від 24.54 грн до 109.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.72 грн
10+54.36 грн
100+31.52 грн
500+28.52 грн
1000+27.54 грн
2500+24.61 грн
5000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+66.92 грн
100+44.67 грн
500+32.99 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC3A01N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.1A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 125/210mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9/5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.