Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMHC6A07N8TC за ціною від 26.56 грн до 125.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.69 грн
500+33.57 грн
1000+28.26 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.01 грн
13+67.74 грн
100+47.69 грн
500+33.57 грн
1000+28.26 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.69 грн
10+72.36 грн
100+43.20 грн
500+34.99 грн
1000+32.07 грн
2500+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.33 грн
10+75.45 грн
100+49.73 грн
500+37.51 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Inc 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.