Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 870mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 870mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMHC6A07N8TC за ціною від 31.97 грн до 117.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Zetex 4_lnk_090521003229.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
10+70.44 грн
100+46.43 грн
500+35.02 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC DIODES INC. DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC 4_lnk_090521003229.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC 4_lnk_090521003229.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC 4_lnk_090521003229.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC 4_lnk_090521003229.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC 4_lnk_090521003229.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.01 грн
10+70.44 грн
100+46.43 грн
500+35.02 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC DIODS11961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.