Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 870mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Інші пропозиції ZXMHC6A07N8TC за ціною від 27.02 грн до 118.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.31 грн
10+76.69 грн
100+44.13 грн
500+34.70 грн
1000+31.70 грн
2500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.62 грн
10+71.41 грн
100+47.07 грн
500+35.50 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.