Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07T8TA
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated

ZXMHC6A07T8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.60 грн
2000+47.00 грн
3000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMHC6A07T8TA за ціною від 48.98 грн до 213.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INC. ZXMHC6A07T8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.85 грн
200+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.17 грн
10+96.61 грн
50+75.97 грн
100+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.70 грн
10+103.30 грн
100+70.66 грн
500+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8.pdf MOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.67 грн
10+110.44 грн
100+66.06 грн
500+52.62 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.01 грн
10+120.39 грн
50+91.16 грн
100+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INC. ZXMHC6A07T8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.69 грн
10+138.46 грн
50+116.85 грн
200+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.