Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMHC6A07T8TA
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated

ZXMHC6A07T8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.55 грн
2000+52.31 грн
3000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMHC6A07T8TA за ціною від 50.86 грн до 235.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Inc 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INC. ZXMHC6A07T8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.94 грн
200+96.77 грн
500+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.97 грн
10+95.95 грн
50+75.45 грн
100+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.65 грн
10+114.97 грн
100+78.65 грн
500+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
10+119.56 грн
50+90.53 грн
100+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8.pdf MOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.31 грн
10+126.75 грн
100+75.81 грн
500+61.56 грн
1000+54.95 грн
2000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : DIODES INC. ZXMHC6A07T8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.80 грн
10+152.78 грн
50+128.94 грн
200+96.77 грн
500+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TA ZXMHC6A07T8TA Виробник : Diodes Zetex 36986916819580176zxmhc6a07t8.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.