Технічний опис ZXMN10A07FTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMN10A07FTA за ціною від 7.96 грн до 50.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS |
на замовлення 22786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 51251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN10A07FTA |
|
на замовлення 35800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |