| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 16.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A07ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm.
Інші пропозиції ZXMN10A07ZTA за ціною від 16.87 грн до 80.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT89 On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS |
на замовлення 12578 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ZXMN10A07ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 22.35 грн |
| 2000+ | 20.21 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 24.08 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 277+ | 51.62 грн |
| 371+ | 38.56 грн |
| 374+ | 38.19 грн |
| 500+ | 28.81 грн |
| 1000+ | 20.45 грн |
| 3000+ | 17.73 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.59 грн |
| 14+ | 31.68 грн |
| 25+ | 28.62 грн |
| 50+ | 26.38 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
| 500+ | 19.11 грн |
| 1000+ | 16.87 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.44 грн |
| 10+ | 44.07 грн |
| 25+ | 36.95 грн |
| 50+ | 30.51 грн |
| 100+ | 26.98 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 12578 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.12 грн |
| 10+ | 37.00 грн |
| 100+ | 27.78 грн |
| 500+ | 26.09 грн |
| 1000+ | 20.16 грн |
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMN10A07ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







