
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 12.85 грн |
2000+ | 11.68 грн |
3000+ | 11.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMN10A07ZTA за ціною від 12.43 грн до 57.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 105608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 30186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
ZXMN10A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |