Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 81500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.17 грн
1000+29.06 грн
1500+27.60 грн
2500+24.35 грн
3500+23.43 грн
5000+22.54 грн
12500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMN10A08DN8TA за ціною від 24.95 грн до 102.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8-3195056.pdf MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+62.71 грн
100+37.43 грн
500+27.37 грн
1000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.41 грн
10+61.77 грн
100+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA Виробник : DIODES/ZETEX ZXMN10A08DN8.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.