ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 32.83 грн |
| 1000+ | 28.76 грн |
| 1500+ | 27.31 грн |
| 2500+ | 24.09 грн |
| 3500+ | 23.19 грн |
| 5000+ | 22.30 грн |
| 12500+ | 20.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMN10A08DN8TA за ціною від 26.12 грн до 131.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 79000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 82006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN10A08DN8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| ZXMN10A08DN8TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|