Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+32.38 грн
1000+28.37 грн
1500+26.94 грн
2500+23.77 грн
3500+22.87 грн
5000+22.00 грн
12500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN10A08DN8TA за ціною від 30.81 грн до 99.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex zxmn10a08dn8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex zxmn10a08dn8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Zetex zxmn10a08dn8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.29 грн
100+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA DIODES INC. ZXMN10A08DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8.pdf MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA DIODES INC. ZXMN10A08DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA DIODES/ZETEX ZXMN10A08DN8.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA zxmn10a08dn8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA zxmn10a08dn8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA zxmn10a08dn8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.29 грн
100+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8.pdf
ZXMN10A08DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.