ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.88 грн |
| 6000+ | 14.07 грн |
| 9000+ | 13.45 грн |
| 15000+ | 11.97 грн |
| 21000+ | 11.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXMN10A08E6TA за ціною від 14.86 грн до 74.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V |
на замовлення 30908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS |
на замовлення 6234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| ZXMN10A08E6TA |
|
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| ZXMN10A08E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.9A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.7nC |
товару немає в наявності |