Продукція > DIODES ZETEX > ZXMN10A08E6TA
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex

33204054196251112zxmn10a08e6.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+38.47 грн
371+38.08 грн
444+31.82 грн
447+30.46 грн
534+23.63 грн
1000+21.27 грн
3000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції ZXMN10A08E6TA за ціною від 19.87 грн до 81.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Zetex 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.11 грн
20+38.47 грн
25+38.08 грн
100+30.68 грн
250+28.21 грн
500+22.68 грн
1000+21.27 грн
3000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.18 грн
10+49.07 грн
100+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 6234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA 33204054196251112zxmn10a08e6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.11 грн
20+38.47 грн
25+38.08 грн
100+30.68 грн
250+28.21 грн
500+22.68 грн
1000+21.27 грн
3000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.18 грн
10+49.07 грн
100+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 6234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.