Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A08GTA
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A08G.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.26 грн
2000+18.70 грн
3000+17.79 грн
5000+15.74 грн
7000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ZXMN10A08GTA за ціною від 19.89 грн до 78.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.10 грн
10+45.68 грн
100+30.01 грн
500+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 7051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+48.73 грн
100+27.86 грн
500+21.59 грн
1000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN10A08G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.