Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A08GTA
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A08G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.94 грн
2000+19.30 грн
3000+18.37 грн
5000+16.25 грн
7000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN10A08GTA за ціною від 19.55 грн до 108.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.53 грн
10+47.16 грн
100+30.98 грн
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated ZXMN10A08G.pdf MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.14 грн
10+50.30 грн
100+28.76 грн
500+22.29 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA DIODES INC. ZXMN10A08G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.30 грн
16+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA DIODES INC. ZXMN10A08G.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
ZXMN10A08GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 9394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.53 грн
10+47.16 грн
100+30.98 грн
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
ZXMN10A08GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Channel 2A MOSFET
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.14 грн
10+50.30 грн
100+28.76 грн
500+22.29 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
ZXMN10A08GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.30 грн
16+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
ZXMN10A08GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08GTA ZXMN10A08G.pdf
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.