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Технічний опис ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMN10A08GTA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ZXMN10A08GTA | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ZXMN10A08GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN10A08GTA |
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на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN10A08GTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXMN10A08GTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)