Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11G.pdf
Код товару: 131543
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ZXMN10A11GTA за ціною від 28.27 грн до 98.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Zetex zxmn10a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.27 грн
3000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Zetex zxmn10a11g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.28 грн
3000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA DIODES INCORPORATED ZXMN10A11G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.75 грн
10+43.17 грн
100+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+59.88 грн
25+50.37 грн
50+41.74 грн
100+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA zxmn10a11g.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.27 грн
3000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA zxmn10a11g.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.28 грн
3000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.75 грн
10+43.17 грн
100+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.90 грн
10+59.88 грн
25+50.37 грн
50+41.74 грн
100+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.