ZXMN10A11KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A11KTC Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMN10A11KTC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS) |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN10A11KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



