ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 39.50 грн |
| 2000+ | 35.81 грн |
| 5000+ | 34.10 грн |
| 10000+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN10A25GTA за ціною від 30.49 грн до 115.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A25GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V |
на замовлення 20480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Channel 2.9A MOSFET |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN10A25GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A25GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXMN10A25GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |