Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN10A25GTA
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

ZXMN10A25G.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.51 грн
2000+34.91 грн
5000+33.25 грн
10000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ZXMN10A25GTA за ціною від 32.44 грн до 92.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+80.24 грн
154+79.40 грн
194+62.92 грн
250+60.11 грн
500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.44 грн
10+74.51 грн
25+73.73 грн
100+56.34 грн
250+51.68 грн
500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V
на замовлення 20480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+69.05 грн
100+53.70 грн
500+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10A25G.pdf MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.70 грн
10+74.70 грн
100+50.69 грн
500+39.73 грн
1000+34.36 грн
2000+33.18 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Inc 33193496255258624zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Виробник : Diodes Zetex zxmn10a25g.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.