Продукція > DIODES INC > ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA Diodes Inc

427zxmn10b08e6.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN10B08E6TA Diodes Inc

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMN10B08E6TA за ціною від 17.52 грн до 83.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10B08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.53 грн
6000+18.28 грн
9000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449483-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.66 грн
500+22.81 грн
1500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449483-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.78 грн
50+41.22 грн
100+33.66 грн
500+22.81 грн
1500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C36AB69D524749&compId=ZXMN10B08E6.pdf?ci_sign=d6025bae664f12cedaa5015a71efb960df8c0a59 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.26 грн
10+44.02 грн
25+36.60 грн
50+31.74 грн
100+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000449483_1-2541795.pdf MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.05 грн
10+48.77 грн
100+29.24 грн
500+23.35 грн
1000+21.36 грн
3000+20.52 грн
6000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C36AB69D524749&compId=ZXMN10B08E6.pdf?ci_sign=d6025bae664f12cedaa5015a71efb960df8c0a59 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.32 грн
10+54.85 грн
25+43.92 грн
50+38.08 грн
100+33.30 грн
500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN10B08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.63 грн
10+50.71 грн
100+33.31 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.