ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated


ZXMN20B28K.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
на замовлення 485000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.20 грн
5000+19.72 грн
7500+18.88 грн
12500+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMN20B28KTC за ціною від 18.13 грн до 85.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Zetex zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Zetex zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.19 грн
5000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014101120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.66 грн
500+26.91 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014101120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.00 грн
50+44.87 грн
100+34.66 грн
500+26.91 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN20B28K.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
на замовлення 24491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.05 грн
10+49.46 грн
100+29.80 грн
250+29.72 грн
500+25.91 грн
1000+22.53 грн
2500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Incorporated ZXMN20B28K.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V
на замовлення 485963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+52.06 грн
100+34.19 грн
500+24.89 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC Виробник : Zetex ZXMN20B28K.pdf 10+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Inc zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Виробник : Diodes Zetex zxmn20b28k.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.