ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.56 грн |
| 10+ | 38.43 грн |
| 100+ | 29.44 грн |
| 500+ | 21.84 грн |
| 1000+ | 17.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V.
Інші пропозиції ZXMN2A01E6TA за ціною від 16.06 грн до 84.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2A01E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Chnl UMOS |
на замовлення 4087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN2A01E6TA |
|
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
