на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2A01FTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN2A01FTA за ціною від 6.75 грн до 47.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Chnl UMOS |
на замовлення 9767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V |
на замовлення 159870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| ZXMN2A01FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMN2A01FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|