Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN2A04DN8TA
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN2A04DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+83.12 грн
1000+67.91 грн
2500+64.51 грн
5000+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN2A04DN8TA за ціною від 65.43 грн до 154.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.92 грн
10+118.82 грн
100+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.44 грн
10+127.00 грн
100+87.74 грн
500+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA Виробник : ZETEX ZXMN2A04DN8.pdf SOP 08+PBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.