ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 78.54 грн |
| 1000+ | 64.17 грн |
| 2500+ | 60.96 грн |
| 5000+ | 55.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZXMN2A04DN8TA за ціною від 69.65 грн до 140.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 12579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| ZXMN2A04DN8TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| ZXMN2A04DN8TA | ZETEX |
SOP 08+PBF |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN2A04DN8TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 140.72 грн |
| 10+ | 112.28 грн |
| 100+ | 89.38 грн |
| ZXMN2A04DN8TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMN2A04DN8TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.03 грн |
| 11+ | 72.26 грн |
| 100+ | 69.65 грн |
| ZXMN2A04DN8TA |
![]() |
Виробник: ZETEX
SOP 08+PBF
SOP 08+PBF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



