ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 79.62 грн |
| 1000+ | 65.05 грн |
| 2500+ | 61.80 грн |
| 5000+ | 55.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMN2A04DN8TA за ціною від 69.80 грн до 142.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| ZXMN2A04DN8TA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ZXMN2A04DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.65 грн |
| 10+ | 113.82 грн |
| 100+ | 90.60 грн |
| ZXMN2A04DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
MOSFETs Dl 20V N-Chnl UMOS
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMN2A04DN8TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.22 грн |
| 11+ | 72.42 грн |
| 100+ | 69.80 грн |