ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated


ZXMN2A14F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.03 грн
6000+13.30 грн
9000+12.70 грн
15000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V.

Інші пропозиції ZXMN2A14FTA за ціною від 7.45 грн до 87.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2A14FTA ZXMN2A14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A14F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V
на замовлення 20658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.84 грн
10+37.52 грн
100+24.33 грн
500+17.49 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTA ZXMN2A14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2A14F.pdf MOSFETs N Channel
на замовлення 39643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.98 грн
10+48.26 грн
100+27.44 грн
500+21.23 грн
1000+19.20 грн
3000+16.55 грн
6000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A14FTA Виробник : Zetex ZXMN2A14F.pdf N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.