Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated

ZXMN2B01F.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.78 грн
6000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V.

Інші пропозиції ZXMN2B01FTA за ціною від 10.06 грн до 48.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+24.87 грн
684+18.10 грн
690+17.94 грн
890+13.42 грн
1099+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.96 грн
27+26.65 грн
100+18.70 грн
250+17.16 грн
500+12.78 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN2B01F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.26 грн
18+22.83 грн
71+13.21 грн
195+12.49 грн
500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2B01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 82203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.13 грн
13+25.85 грн
100+17.02 грн
500+12.42 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN2B01F.pdf MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 18309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.60 грн
13+28.81 грн
100+16.27 грн
500+12.45 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN2B01F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.32 грн
11+28.45 грн
71+15.85 грн
195+14.99 грн
500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Inc zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA Виробник : Diodes Zetex zxmn2b01f.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.