ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.61 грн |
| 6000+ | 7.56 грн |
| 9000+ | 7.19 грн |
| 15000+ | 6.36 грн |
| 21000+ | 6.13 грн |
| 30000+ | 5.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ZXMN2B01FTA за ціною від 9.42 грн до 39.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2B01FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2B01FTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V |
на замовлення 61570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap |
на замовлення 18309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN2B01FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 498+ | 28.23 грн |
| 684+ | 20.54 грн |
| 690+ | 20.36 грн |
| 890+ | 15.23 грн |
| 1099+ | 11.42 грн |
| ZXMN2B01FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.86 грн |
| 27+ | 28.23 грн |
| 100+ | 19.81 грн |
| 250+ | 18.18 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| ZXMN2B01FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 61570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.26 грн |
| 13+ | 23.20 грн |
| 100+ | 14.84 грн |
| 500+ | 10.52 грн |
| 1000+ | 9.42 грн |
| ZXMN2B01FTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 18309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



