ZXMN2B03E6TA DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.87 грн |
| 500+ | 27.27 грн |
| 1000+ | 23.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2B03E6TA DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Інші пропозиції ZXMN2B03E6TA за ціною від 17.93 грн до 116.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap |
на замовлення 5009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2B03E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZXMN2B03E6TA |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXMN2B03E6TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 10+ | 51.50 грн |
| 100+ | 39.49 грн |
| 500+ | 29.30 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| ZXMN2B03E6TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
MOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.88 грн |
| 10+ | 46.02 грн |
| 100+ | 28.48 грн |
| 500+ | 23.14 грн |
| 1000+ | 20.96 грн |
| 3000+ | 17.93 грн |
| ZXMN2B03E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: DIODES INC. - ZXMN2B03E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 116.51 грн |
| 15+ | 56.53 грн |
| 100+ | 39.87 грн |
| 500+ | 27.27 грн |
| 1000+ | 23.07 грн |




