ZXMN2B03E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.33 грн |
| 10+ | 46.77 грн |
| 100+ | 35.87 грн |
| 500+ | 26.61 грн |
| 1000+ | 21.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2B03E6TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ZXMN2B03E6TA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2B03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap |
на замовлення 8780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| ZXMN2B03E6TA |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
ZXMN2B03E6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
ZXMN2B03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V |
товар відсутній |