ZXMN2F30FHQTA Diodes Zetex
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2F30FHQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN2F30FHQTA за ціною від 6.27 грн до 39.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXMN2F30FHQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |