Продукція > DIODES ZETEX > ZXMN2F30FHQTA
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA Diodes Zetex

zxmn2f30fhq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2F30FHQTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMN2F30FHQTA за ціною від 6.28 грн до 39.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.11 грн
500+10.53 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Zetex zxmn2f30fhq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
12+27.83 грн
100+18.95 грн
500+13.33 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.60 грн
15+23.50 грн
100+9.95 грн
3000+7.35 грн
6000+6.89 грн
9000+6.58 грн
24000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.33 грн
35+24.99 грн
100+12.11 грн
500+10.53 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Inc zxmn2f30fhq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.