Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN2F30FHTA
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated

ZXMN2F30FH.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.61 грн
6000+7.94 грн
9000+7.15 грн
30000+6.61 грн
75000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXMN2F30FHTA за ціною від 8.30 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA DIODES INCORPORATED ZXMN2F30FH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
23+18.71 грн
100+12.11 грн
500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F30FH.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
13+23.85 грн
100+14.29 грн
500+12.42 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F30FH.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.77 грн
10+38.17 грн
100+21.38 грн
500+16.17 грн
1000+14.56 грн
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA DIODES/ZETEX ZXMN2F30FH.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FH.pdf
ZXMN2F30FHTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.08 грн
23+18.71 грн
100+12.11 грн
500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FH.pdf
ZXMN2F30FHTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.65 грн
13+23.85 грн
100+14.29 грн
500+12.42 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FH.pdf
ZXMN2F30FHTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.77 грн
10+38.17 грн
100+21.38 грн
500+16.17 грн
1000+14.56 грн
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FH.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.