| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1167+ | 8.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1167 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2F30FHTA Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ZXMN2F30FHTA за ціною від 6.07 грн до 65.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V |
на замовлення 184462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZXMN2F30FHTA | DIODES/ZETEX |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fhкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1776+ | 8.04 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.41 грн |
| 6000+ | 7.76 грн |
| 9000+ | 6.98 грн |
| 30000+ | 6.46 грн |
| 75000+ | 6.07 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.30 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.32 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.39 грн |
| 23+ | 18.28 грн |
| 100+ | 11.83 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.92 грн |
| 13+ | 23.30 грн |
| 100+ | 13.96 грн |
| 500+ | 12.14 грн |
| 1000+ | 8.25 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.42 грн |
| 10+ | 39.78 грн |
| 100+ | 22.28 грн |
| 500+ | 16.86 грн |
| 1000+ | 15.17 грн |
| 3000+ | 8.65 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.41 грн |





