Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN2F30FHTA Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZXMN2F30FHTA за ціною від 6.07 грн до 30.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN2F30FHTA | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 184462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXMN2F30FHTA | DIODES/ZETEX |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1776+ | 7.95 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.41 грн |
| 6000+ | 7.76 грн |
| 9000+ | 6.99 грн |
| 30000+ | 6.46 грн |
| 75000+ | 6.07 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.19 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.21 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.40 грн |
| 23+ | 18.28 грн |
| 100+ | 11.83 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.93 грн |
| 13+ | 23.30 грн |
| 100+ | 13.97 грн |
| 500+ | 12.14 грн |
| 1000+ | 8.26 грн |
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXMN2F30FHTA |
|
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.31 грн |