Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A01E6TA
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.20 грн
6000+13.87 грн
9000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V.

Інші пропозиції ZXMN3A01E6TA за ціною від 14.93 грн до 42.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA Виробник : Diodes Inc 35792231929354528zxmn3a01e6.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A01E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
10+33.41 грн
100+23.11 грн
500+18.13 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A01E6.pdf MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.31 грн
10+35.96 грн
100+22.51 грн
500+19.13 грн
1000+16.63 грн
3000+15.01 грн
6000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.