Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A01E6TA
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.80 грн
6000+13.50 грн
9000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN3A01E6TA за ціною від 15.02 грн до 38.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A01E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
10+32.53 грн
100+22.51 грн
500+17.65 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A01E6.pdf MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA DIODES INC. ZXMN3A01E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA DIODES INC. ZXMN3A01E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
ZXMN3A01E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
10+32.53 грн
100+22.51 грн
500+17.65 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
ZXMN3A01E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
ZXMN3A01E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
ZXMN3A01E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.