ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.41 грн |
| 6000+ | 9.18 грн |
| 9000+ | 8.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZXMN3A01FTA за ціною від 8.89 грн до 41.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS |
на замовлення 75564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 508393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXMN3A01FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMN3A01FTA SMD N channel transistors |
на замовлення 4665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |

