ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated


ZXMN3A01F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 507000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.97 грн
6000+8.79 грн
9000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V.

Інші пропозиції ZXMN3A01FTA за ціною від 12.37 грн до 56.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
12+27.35 грн
100+19.25 грн
500+13.76 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.45 грн
10+37.61 грн
100+22.01 грн
500+15.82 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.77 грн
12+27.35 грн
100+19.25 грн
500+13.76 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.45 грн
10+37.61 грн
100+22.01 грн
500+15.82 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.