Продукція > DIODES ZETEX > ZXMN3A01ZTA
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA Diodes Zetex

zxmn3a01z.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1143+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 1143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 970mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMN3A01ZTA за ціною від 10.20 грн до 53.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.65 грн
2000+12.78 грн
3000+12.09 грн
5000+10.63 грн
7000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
на замовлення 9639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.47 грн
10+32.01 грн
100+20.63 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Zetex zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA DIODES INC. DIODS15185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA DIODES INC. DIODS15185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01Z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.65 грн
2000+12.78 грн
3000+12.09 грн
5000+10.63 грн
7000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01Z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
на замовлення 9639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.47 грн
10+32.01 грн
100+20.63 грн
500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01Z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA zxmn3a01z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA DIODS15185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN3A01ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA DIODS15185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN3A01ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.