Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A01ZTA
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated

ZXMN3A01Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+12.26 грн
2000+9.79 грн
3000+9.64 грн
5000+8.68 грн
7000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 970mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V.

Інші пропозиції ZXMN3A01ZTA за ціною від 13.47 грн до 27.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.91 грн
100+18.85 грн
500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01Z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+27.91 грн
100+18.85 грн
500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01Z.pdf
ZXMN3A01ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.