Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A01ZTA
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated

ZXMN3A01Z.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.60 грн
2000+10.85 грн
5000+10.29 грн
10000+8.97 грн
25000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 970mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXMN3A01ZTA за ціною від 9.34 грн до 35.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Zetex zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+30.73 грн
517+23.64 грн
538+22.72 грн
661+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
на замовлення 33974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+27.51 грн
100+19.11 грн
500+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3A01Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.74 грн
29+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Zetex zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+35.09 грн
21+28.83 грн
25+28.54 грн
100+21.17 грн
250+18.84 грн
500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3A01Z.pdf MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
12+30.29 грн
100+13.90 грн
500+12.07 грн
1000+10.01 грн
2000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3A01Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Zetex zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Inc zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTA ZXMN3A01ZTA Виробник : Diodes Zetex zxmn3a01z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.