
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 22.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A03E6TA Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZXMN3A03E6TA за ціною від 18.53 грн до 82.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 64484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 37420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
ZXMN3A03E6TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |