Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+53.48 грн
1000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN3A04DN8TA за ціною від 51.13 грн до 196.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA DIODES INC. ZXMN3A04DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.92 грн
10+105.95 грн
100+65.40 грн
250+65.26 грн
500+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.47 грн
10+104.83 грн
100+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA DIODES INC. ZXMN3A04DN8.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.09 грн
10+126.35 грн
100+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.92 грн
10+105.95 грн
100+65.40 грн
250+65.26 грн
500+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.47 грн
10+104.83 грн
100+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+196.09 грн
10+126.35 грн
100+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.