ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 64.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ZXMN3A04KTC за ціною від 57.12 грн до 207.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN3A04KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3A04KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3A04KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN3A04KTC |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
ZXMN3A04KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |