на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 36.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A06DN8TA Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції ZXMN3A06DN8TA за ціною від 34.58 грн до 109.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN3A06DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMN3A06DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXMN3A06DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| ZXMN3A06DN8TA | Виробник : Zetex |
Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|