ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZXMN3A06DN8TA за ціною від 33.05 грн до 104.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| ZXMN3A06DN8TA | Zetex |
Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| ZXMN3A06DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.19 грн |
| 10+ | 77.86 грн |
| 100+ | 60.72 грн |
| ZXMN3A06DN8TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.20 грн |
| 10+ | 68.91 грн |
| 100+ | 48.95 грн |
| 500+ | 33.76 грн |
| 1000+ | 33.05 грн |
| ZXMN3A06DN8TA |
|
Виробник: Zetex
Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт
Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.21 грн |