Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3A14FQTA
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA DIODES INCORPORATED

ZXMN3A14FQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.43 грн
12+35.32 грн
100+24.13 грн
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3A14FQTA DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ZXMN3A14FQTA за ціною від 22.28 грн до 58.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQTA Diodes Incorporated ZXMN3A14FQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+48.95 грн
100+37.54 грн
500+27.85 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQTA Diodes Incorporated ZXMN3A14FQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 19671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQ.pdf
ZXMN3A14FQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.12 грн
10+48.95 грн
100+37.54 грн
500+27.85 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQ.pdf
ZXMN3A14FQTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 19671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.