Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated

Name: ZXMN3AMCTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 2555888-3
Price: 318.29999999999995 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	63.66 грн
10+	52.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ZXMN3AMCTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3020B-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXMN3AMCTA

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
ZXMN3AMCTA	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS	на замовлення 625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
ZXMN3AMCTA	Виробник : Diodes Inc	Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
ZXMN3AMCTA	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3020B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.