ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.33 грн |
| 6000+ | 12.18 грн |
| 9000+ | 11.31 грн |
| 30000+ | 10.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ZXMN3B01FTA за ціною від 10.97 грн до 49.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMN3B01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V |
на замовлення 538991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN3B01FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N Chnl UMOS |
на замовлення 4572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|