Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+47.04 грн
1000+36.90 грн
2500+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ZXMN3B04N8TA за ціною від 32.21 грн до 116.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.70 грн
10+68.68 грн
100+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf MOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.45 грн
10+77.74 грн
100+48.17 грн
500+36.14 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN3B04N8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 30V; 8.9A; 2W; SO8; SMT
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 25mΩ
Technology: Trench
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 23.1nC
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: 12V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Виробник : Diodes Inc 1599497033027998zxmn3b04n8.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.