ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated


ZXMN3B14F.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.35 грн
6000+14.63 грн
9000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ZXMN3B14FTA за ціною від 16.83 грн до 56.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.87 грн
500+20.84 грн
1500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.87 грн
50+39.37 грн
100+30.87 грн
500+20.84 грн
1500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf MOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 20474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.55 грн
10+38.92 грн
25+33.33 грн
100+25.16 грн
250+24.79 грн
500+21.48 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 137439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+36.09 грн
100+24.78 грн
500+18.42 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Inc zxmn3b14f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.