Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3B14FTA
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated

ZXMN3B14F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.25 грн
6000+14.55 грн
9000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN3B14FTA за ціною від 16.73 грн до 91.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.98 грн
500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 137439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
10+35.88 грн
100+24.64 грн
500+18.31 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.90 грн
50+50.54 грн
100+32.98 грн
500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf MOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 62827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.89 грн
10+56.94 грн
100+36.22 грн
500+28.48 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14F.pdf
ZXMN3B14FTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.98 грн
500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14F.pdf
ZXMN3B14FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 137439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.17 грн
10+35.88 грн
100+24.64 грн
500+18.31 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14F.pdf
ZXMN3B14FTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.90 грн
50+50.54 грн
100+32.98 грн
500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14F.pdf
ZXMN3B14FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 62827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.89 грн
10+56.94 грн
100+36.22 грн
500+28.48 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.