ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated


ZXMN3B14F.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.63 грн
6000+ 14.25 грн
9000+ 13.2 грн
30000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції ZXMN3B14FTA за ціною від 13.09 грн до 48.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.24 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 52698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.16 грн
10+ 34.28 грн
100+ 23.76 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN3B14F.pdf MOSFET 30V N Chnl UMOS
на замовлення 33699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.16 грн
10+ 34.01 грн
100+ 22.5 грн
500+ 19.16 грн
1000+ 16.36 грн
3000+ 13.29 грн
6000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : DIODES INC. ZXMN3B14F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.61 грн
20+ 37.52 грн
100+ 25.24 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Виробник : Diodes Inc zxmn3b14f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
ZXMN3B14FTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN3B14F.pdf ZXMN3B14FTA SMD N channel transistors
товар відсутній