на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3B14FTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN3B14FTA за ціною від 14.78 грн до 58.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN3B14FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N Chnl UMOS |
на замовлення 18582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3B14FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V |
на замовлення 137439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXMN3B14FTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXMN3B14FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 16A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |