ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.15 грн |
| 6000+ | 8.68 грн |
| 9000+ | 8.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXMN3F30FHTA за ціною від 8.02 грн до 55.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
на замовлення 14677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 366845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXMN3F30FHTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ZXMN3F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 14677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.02 грн |
| 18+ | 19.01 грн |
| 100+ | 14.35 грн |
| 500+ | 8.44 грн |
| 1000+ | 8.23 грн |
| 3000+ | 8.02 грн |
| ZXMN3F30FHTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 366845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.39 грн |
| 15+ | 21.33 грн |
| 100+ | 15.99 грн |
| 500+ | 11.22 грн |
| 1000+ | 9.81 грн |
| ZXMN3F30FHTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 55.55 грн |
| 50+ | 34.62 грн |
| 100+ | 22.64 грн |
| 500+ | 16.00 грн |
| 1500+ | 13.01 грн |



