ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.93 грн |
| 6000+ | 8.46 грн |
| 9000+ | 8.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXMN3F30FHTA за ціною від 7.82 грн до 47.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN3F30FHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
на замовлення 14677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V |
на замовлення 366845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN3F30FHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| ZXMN3F30FHTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMN3F30FHTA SMD N channel transistors |
на замовлення 745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|