Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN3F31DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+30.66 грн
1000+26.84 грн
1500+25.46 грн
2500+22.45 грн
3500+21.59 грн
5000+20.76 грн
12500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції ZXMN3F31DN8TA за ціною від 37.62 грн до 94.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.06 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.06 грн
10+57.06 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.