Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated

ZXMN3F31DN8.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+30.95 грн
1000+27.09 грн
1500+25.70 грн
2500+22.66 грн
3500+21.79 грн
5000+20.95 грн
12500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO, Mounting Type: Surface Mount, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXMN3F31DN8TA за ціною від 20.89 грн до 95.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.94 грн
10+57.60 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
10+58.71 грн
100+33.83 грн
500+25.74 грн
1000+22.22 грн
2500+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+57.90 грн
100+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.94 грн
10+57.60 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.17 грн
10+58.71 грн
100+33.83 грн
500+25.74 грн
1000+22.22 грн
2500+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8.pdf
ZXMN3F31DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.73 грн
10+57.90 грн
100+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.