ZXMN4A06GTA Diodes Zetex


zxmn4a06g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.40 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN4A06GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3.9W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Інші пропозиції ZXMN4A06GTA за ціною від 43.86 грн до 121.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA Diodes Zetex zxmn4a06g.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.40 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA Diodes Zetex zxmn4a06g.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.21 грн
15+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA DIODES INCORPORATED ZXMN4A06G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+62.73 грн
100+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated ZXMN4A06G.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated ZXMN4A06G.pdf MOSFETs 40V N-Chnl UMOS
на замовлення 40935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA DIODES INC. DIOD-S-A0013781308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA Diodes Zetex zxmn4a06g.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA DIODES INC. DIOD-S-A0013781308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA DIODES/ZETEX ZXMN4A06G.pdf N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA zxmn4a06g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.40 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA zxmn4a06g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.21 грн
15+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06G.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.48 грн
10+62.73 грн
100+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.49 грн
10+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V N-Chnl UMOS
на замовлення 40935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA DIOD-S-A0013781308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA zxmn4a06g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA DIOD-S-A0013781308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTA ZXMN4A06G.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.