ZXMN4A06K DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 107.09 грн |
| 11+ | 84.13 грн |
| 100+ | 58.25 грн |
| 500+ | 51.31 грн |
| 1000+ | 44.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN4A06K DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN4A06K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN4A06K | Виробник : ZETEX | 07+ DPAK |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| ZXMN4A06K | Виробник : ZETEX | DPAK |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |