Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A07FTA
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated

ZXMN6A07F.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.27 грн
6000+10.83 грн
9000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN6A07FTA за ціною від 11.86 грн до 61.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA DIODES INC. ZXMN6A07F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.07 грн
500+16.27 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA DIODES INCORPORATED ZXMN6A07F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.00 грн
14+31.42 грн
50+20.98 грн
100+17.91 грн
500+13.18 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+31.34 грн
100+20.16 грн
500+14.40 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA DIODES INC. ZXMN6A07F.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.15 грн
50+35.92 грн
100+25.07 грн
500+16.27 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated DIOD_S_A0001069527_1-2541815.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 91297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+25.07 грн
500+16.27 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.00 грн
14+31.42 грн
50+20.98 грн
100+17.91 грн
500+13.18 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+31.34 грн
100+20.16 грн
500+14.40 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+61.15 грн
50+35.92 грн
100+25.07 грн
500+16.27 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA DIOD_S_A0001069527_1-2541815.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 91297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.