Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A07ZTA
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated

ZXMN6A07Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.31 грн
2000+14.73 грн
3000+14.23 грн
5000+13.15 грн
7000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXMN6A07ZTA за ціною від 13.15 грн до 76.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.84 грн
10+34.44 грн
100+24.06 грн
500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.79 грн
10+35.99 грн
100+21.38 грн
500+18.21 грн
1000+15.12 грн
2000+13.36 грн
5000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA DIODES INC. ZXMN6A07Z.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.22 грн
18+47.75 грн
50+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.84 грн
10+34.44 грн
100+24.06 грн
500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.79 грн
10+35.99 грн
100+21.38 грн
500+18.21 грн
1000+15.12 грн
2000+13.36 грн
5000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.22 грн
18+47.75 грн
50+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.