на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 17.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN6A07ZTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXMN6A07ZTA за ціною від 13.85 грн до 63.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN6A07ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V |
на замовлення 9425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS |
на замовлення 8853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMN6A07ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXMN6A07ZTA SMD N channel transistors |
на замовлення 659 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ZXMN6A07ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |