Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6.pdf
Код товару: 124448
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ZXMN6A08E6TA за ціною від 22.35 грн до 84.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.89 грн
10+51.07 грн
100+33.71 грн
500+24.61 грн
1000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Виробник : Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.