Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated

Name: ZXMN6A08E6TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 386055-3
Price: 342.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.50 грн
10+	51.44 грн
100+	33.95 грн
500+	24.79 грн
1000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V.

Інші пропозиції ZXMN6A08E6TA

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
ZXMN6A08E6TA			на замовлення 316 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
ZXMN6A08E6TA Код товару: 124448 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
ZXMN6A08E6TA	Виробник : Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXMN6A08E6TA	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXMN6A08E6TA	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFETs 60V N-Chnl UMOS	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXMN6A08E6TA	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.