Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A08GQTA
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated

ZXMN6A08GQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXMN6A08GQTA за ціною від 27.65 грн до 93.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.76 грн
10+56.86 грн
100+37.68 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+56.86 грн
100+37.68 грн
500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.