ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated


ZXMN6A08GQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXMN6A08GQTA за ціною від 26.87 грн до 107.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009865583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.18 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
10+61.48 грн
100+40.74 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.01 грн
10+63.95 грн
100+38.57 грн
500+30.52 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009865583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.73 грн
13+68.20 грн
100+47.18 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : Diodes Inc zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Виробник : Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.